基本情報技術者(科目A)過去問集 - メモリ
令和7年7月修了試験 問9
図に示す構成で,表に示すようにキャッシュメモリと主記憶のアクセス時間だけが異なり,他の条件は同じ2種類のCPU XとYがある。
あるプログラムをCPU XとYとでそれぞれ実行したところ,両者の処理時間が等しかった。このとき,キャッシュメモリのヒット率は幾らか。ここで,CPU以外の処理による影響はないものとする。
あるプログラムをCPU XとYとでそれぞれ実行したところ,両者の処理時間が等しかった。このとき,キャッシュメモリのヒット率は幾らか。ここで,CPU以外の処理による影響はないものとする。

ア | 0.75 |
---|---|
イ | 0.90 |
ウ | 0.95 |
エ | 0.96 |
令和7年7月修了試験 問16
フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
ア | 高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリに用いられる。 |
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イ | 紫外線で全データを一括消去できる。 |
ウ | 周期的にデータの再書込みが必要である。 |
エ | ブロック単位で電気的にデータが消去できる。 |
令和7年6月修了試験 問10
1画素当たり24ビットのカラー情報をビデオメモリに記憶する場合,横1,024画素,縦768画素の画面表示に必要なメモリ量として,最も少ないものはどれか。ここで,単位はMバイトとし,1Mバイトは106バイトとする。
ア | 0.8 |
---|---|
イ | 2.4 |
ウ | 6.3 |
エ | 18.9 |
令和7年1月修了試験 問9
メモリインタリーブの説明はどれか。
ア | CPUと磁気ディスク装置との間に半導体メモリによるデータバッファを設けて,磁気ディスクアクセスの高速化を図る。 |
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イ | 主記憶のデータの一部をキャッシュメモリにコピーすることによって,CPUと主記憶とのアクセス速度のギャップを埋め,メモリアクセスの高速化を図る。 |
ウ | 主記憶へのアクセスを高速化するために,アクセス要求,データの読み書き及び後処理が終わってから,次のメモリアクセスの処理に移る。 |
エ | 主記憶を複数の独立したグループに分けて,CPUからのアクセス要求を並列に処理することによって,主記憶へのアクセスの高速化を図る。 |
令和6年6月修了試験 問9
メモリインタリーブの説明として,適切なものはどれか。
ア | 新しい情報をキャッシュメモリに取り出すとき,キャッシュ上では不要になった情報を主記憶に書き込む。 |
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イ | 主記憶のアクセス時間と磁気ディスクのアクセス時間とのギャップを補う。 |
ウ | 主記憶の更新と同時にキャッシュメモリの更新を行う。 |
エ | 主記憶を幾つかの区画に分割し,連続したメモリアドレスへのアクセスを高速化する。 |
令和6年6月修了試験 問16
DRAMの説明として,適切なものはどれか。
ア | 1バイト単位でデータの消去及び書込みが可能な不揮発性のメモリであり,電源遮断時もデータ保持が必要な用途に用いられる。 |
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イ | 不揮発性のメモリでNAND型又はNOR型があり,SSDに用いられる。 |
ウ | メモリセルはフリップフロップで構成され,キャッシュメモリに用いられる。 |
エ | リフレッシュ動作が必要なメモリであり,PCの主記憶として用いられる。 |
令和5年公開問題 問3
ア | 主記憶と入出力装置,又は主記憶同士のデータの受渡しをCPU経由でなく直接やり取りする方式 |
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イ | 主記憶にデータを送り出す際に,データをキャッシュに書き込み,キャッシュがあふれたときに主記憶へ書き込む方式 |
ウ | 主記憶のデータの一部をキャッシュにコピーすることによって,レジスタと主記憶とのアクセス速度の差を縮める方式 |
エ | 主記憶を複数の独立して動作するグループに分けて,各グループに並列にアクセスする方式 |
令和4年12月修了試験 問14
メモリインタリーブの説明として,適切なものはどれか。
ア | CPUから主記憶へのアクセスを高速化するために,キャッシュメモリと主記憶との両方に同時にデータを書き込む。 |
---|---|
イ | CPUから主記憶へのアクセスを高速化するために,主記憶内部を複数のバンクに分割し,各バンクを並列にアクセスする。 |
ウ | CPUと主記憶のアクセス速度の違いによるボトルネックを解消するために,高速かつ小容量のメモリを配置する。 |
エ | パイプライン処理を乱す要因をなくすために,キャッシュメモリを命令用とデー夕用の二つに分離する。 |
令和4年7月修了試験 問12
キャッシュメモリの効果として,適切なものはどれか。
ア | 主記憶からキャッシュメモリへの命令の読出しと,主記憶からキャッシュメモリへのデータの読出しを同時に行うことによって,データ転送を高速に行う。 |
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イ | 主記憶から読み出したデータをキャッシュメモリに保持し,CPUが後で同じデータを読み出すときのデータ転送を高速に行う。 |
ウ | 主記憶から読み出したデータをキャッシュメモリに保持し,命令を並列に処理することによって演算を高速に行う。 |
エ | 主記憶から読み出した命令をキャッシュメモリに保持し,キャッシュメモリ上でデコードして実行することによって演算を高速に行う。 |
令和4年7月修了試験 問20
ア | 主にキャッシュメモリとして使用される。 |
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イ | データを保持するためのリフレッシュ又はアクセス動作が不要である。 |
ウ | メモリセル構成が単純なので,ビット当たりの単価が安くなる。 |
エ | メモリセルにフリップフロップを用いてデータを保存する。 |
令和4年6月修了試験 問20
DRAMの特徴はどれか。
ア | 書込み及び消去を一括又はブロック単位で行う。 |
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イ | データを保持するためのリフレッシュ操作又はアクセス操作が不要である。 |
ウ | 電源が遮断された状態でも,記憶した情報を保持することができる。 |
エ | メモリセル構造が単純なので高集積化することができ,ビット単価を安くできる。 |
令和3年6月修了試験 問13
1Mバイトのメモリを図のようにMPUに接続するとき,最低限必要なアドレスバスの信号線の本数nはどれか。ここで,メモリにはバイト単位でアクセスするものとし,1Mバイトは1,024kバイト,1kバイトは1,024バイトとする。

ア | 18 |
---|---|
イ | 19 |
ウ | 20 |
エ | 21 |
令和3年1月修了試験 問13
キャッシュメモリに関する記述のうち,適切なものはどれか。
ア | キャッシュメモリにヒットしない場合に割込みが生じ,プログラムによって主記憶からキャッシュメモリにデータが転送される。 |
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イ | キャッシュメモリは,実記憶と仮想記憶とのメモリ容量の差を埋めるために採用される。 |
ウ | データ書込み命令を実行したときに,キャッシュメモリと主記憶の両方を書き換える方式と,キャッシュメモリだけを書き換えておき,主記憶の書換えはキャッシュメモリから当該データが追い出されるときに行う方式とがある。 |
エ | 半導体メモリのアクセス速度の向上が著しいので,キャッシュメモリの必要性は減っている。 |
令和2年12月修了試験 問13
主記憶のアクセス時間が60ナノ秒,キャッシュメモリのアクセス時間が10ナノ秒であるシステムがある。キャッシュメモリを介して主記憶にアクセスする場合の実効アクセス時間が15ナノ秒であるとき,キャッシュメモリのヒット率は幾らか。
ア | 0.1 |
---|---|
イ | 0.17 |
ウ | 0.83 |
エ | 0.9 |
令和2年7月修了試験 問13
A~D を,主記憶の実効アクセス時間が短い順に並べたものはどれか。
キャッシュメモリ | 主記憶 | |||
有無 | アクセス時間 (ナノ秒) | ヒット率 (%) | アクセス時間 (ナノ秒) | |
A | なし | - | - | 15 |
B | なし | - | - | 30 |
C | あり | 20 | 60 | 70 |
D | あり | 10 | 90 | 80 |
ア | A,B,C,D |
---|---|
イ | A,D,B,C |
ウ | C,D,A,B |
エ | D,C,A,B |
令和2年6月修了試験 問12
ア | 7 |
---|---|
イ | 8 |
ウ | 9 |
エ | 10 |
令和1年6月修了試験 問16
ア | 一定時間参照されていないブロック |
---|---|
イ | 最後に参照されてから最も長い時間が経過したブロック |
ウ | 参照頻度の最も低いブロック |
エ | 読み込んでから最も長い時間が経過したブロック |
平成30年12月修了試験 問10
ア | 紫外線照射で内容を消去することによって,メモリ部品を再利用することができる。 |
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イ | 出荷後のプログラムの不正な書換えを防ぐことができる。 |
ウ | 製品の量産後にシリアル番号などの個体識別データを書き込むことができる。 |
エ | 動作中に主記憶が不足した場合,補助記憶として使用することができる。 |
平成29年春期 問9
キャッシュの書込み方式には,ライトスルー方式とライトバック方式がある。ライトバック方式を使用する目的として,適切なものはどれか。
ア | キャッシュと主記憶の一貫性(コヒーレンシ)を保ちながら,書込みを行う。 |
---|---|
イ | キャッシュミスが発生したときに,キャッシュの内容の主記憶への書き戻しを不要にする。 |
ウ | 個々のプロセッサがそれぞれのキャッシュをもつマルチプロセッサシステムにおいて,キャッシュ管理をライトスルー方式よりも簡単な回路構成で実現する。 |
エ | プロセッサから主記憶への書込み頻度を減らす。 |
答え : エ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
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平成29年1月修了試験 問11
キャッシュメモリのアクセス時間及びヒット率と,主記憶のアクセス時間の組合せのうち,実効アクセス時間が最も短くなるものはどれか。
キャッシュメモリ | 主記憶 | ||
アクセス時間(ナノ秒) | ヒット率(%) | アクセス時間(ナノ秒) | |
ア | 10 | 60 | 70 |
イ | 10 | 70 | 70 |
ウ | 20 | 70 | 50 |
エ | 20 | 80 | 50 |
平成29年1月修了試験 問22
フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。
ア | 書込み回数は無制限である。 |
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イ | 書込み時は回路基板から外して,専用のROMライタで書き込まなければならない。 |
ウ | 定期的にリフレッシュしないと,データが失われる。 |
エ | データ書換え時には,あらかじめ前のデータを消去してから書込みを行う。 |
平成28年春期 問12
表示解像度が1,000×800ドットで,色数が65,536色(216色)の画像を表示するのに最低限必要なビデオメモリ容量は何Mバイトか。ここで,1Mバイト=1,000kバイト,1kバイト=1,000バイトとする。
ア | 1.6 |
---|---|
イ | 3.2 |
ウ | 6.4 |
エ | 12.8 |
答え : ア
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平成27年12月修了試験 問18
表のような状態の4ブロック分のキャッシュメモリ CO~C3 がある。ここで,新たに別のブロックの内容をキャッシュメモリにロードする必要が生じたとき,C2の内容を置換の対象とするアルゴリズムはどれか。
キャッシュメモリ | ロード時刻(分:秒) | 最終参照時刻(分:秒) | 参照回数 |
C0 | 0:00 | 0:08 | 10 |
C1 | 0:03 | 0:06 | 1 |
C2 | 0:04 | 0:05 | 3 |
C3 | 0:05 | 0:10 | 5 |
ア | FIFO |
---|---|
イ | LFU |
ウ | LIFO |
エ | LRU |
平成27年秋期 問10
キャッシュメモリをもつメモリシステムにおいて,平均メモリアクセス時間が増加する原因となるものはどれか。
ア | キャッシュメモリへのアクセス時間の減少 |
---|---|
イ | ヒット率の低下 |
ウ | ミスペナルティの減少 |
エ | ミス率の低下 |
答え : イ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
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平成26年春期 問11
ア | メモリモジュールに電源が供給されているかどうかを判定する。 |
---|---|
イ | 読出し時に,エラーが発生したかどうかを検出する。 |
ウ | 読出し時に,エラーを検出して自動的に訂正する。 |
エ | 読み出したデータを暗号化する。 |
答え : イ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
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平成26年1月修了試験 問10
キャッシュメモリに関する記述のうち,適切なものはどれか。
ア | キャッシュミスが発生するとキャッシュ全体は一括消去され,主記憶から最新のデータの転送処理が実行される。 |
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イ | キャッシュメモリの転送ブロックの大きさを仮想記憶のページの大きさと同じにすると,プログラムの実行効率が向上する。 |
ウ | キャッシュメモリは高速アクセスが可能なので,汎用レジスタと同じ働きをする。 |
エ | 主記憶のアクセス時間とプロセッサの命令実行時間の差が大きいマシンでは,多段のキャッシュ構成にすることで実効アクセス時間が短縮できる。 |
平成25年秋期 問11
1文字が,縦48ドット,横32ドットで表される2値ビットマップのフォントがある。文字データが8,192種類あるとき,文字データ全体を保存するために必要な領域は何バイトか。ここで,1Mバイト=1,024kバイト,1kバイト=1,024バイトとし,文字データは圧縮しないものとする。
ア | 192k |
---|---|
イ | 1.5M |
ウ | 12M |
エ | 96M |
答え : イ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
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平成25年7月修了試験 問11
アクセス時間10ナノ秒のキャッシュメモリとアクセス時間50ナノ秒の主記憶を使用した処理装置において,主記憶の実効アクセス時間が25ナノ秒以下になるためには,キャッシュメモリのヒット率が最低何%あればよいか。
ア | 50 |
---|---|
イ | 60 |
ウ | 70 |
エ | 80 |
平成25年1月修了試験 問11
主記憶装置の高速化の技法として,主記憶を幾つかのアクセス単位に分割し,各アクセス単位をできるだけ並行動作させることによって,実効アクセス時間を短縮する方法を何というか。
ア | 仮想記憶 |
---|---|
イ | キャッシュメモリ方式 |
ウ | ダイレクトメモリアクセス |
エ | メモリインタリーブ |
平成24年春期 問12
DRAMのリフレッシュ動作の説明として,適切なものはどれか。
ア | 一定時間ごとに内容を外部記憶装置に書き込む。 |
---|---|
イ | システムの電源投入時に,全領域を0で初期化する。 |
ウ | データを保持するために,一定時間ごとにアクセスする。 |
エ | 内容を更新するときに,データを一旦消去する。 |
答え : ウ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
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平成23年春期 問11
主記憶のアクセス時間60ナノ秒,キャッシュメモリのアクセス時間10ナノ秒のシステムがある。キャッシュメモリを介して主記憶にアクセスする場合の実効アクセス時間が15ナノ秒であるとき,キャッシュメモリのヒット率は幾らか。
ア | 0.1 |
---|---|
イ | 0.17 |
ウ | 0.83 |
エ | 0.9 |
平成22年春期 問11
ア | アクセスする作業領域部分をまとめる。 |
---|---|
イ | 作業領域全体を平均的にアクセスするように作成する。 |
ウ | 頻繁に実行される処理部分をまとめる。 |
エ | プログラム全体を平均的に実行するように作成する。 |
答え : ウ
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平成22年春期 問24
フラッシュメモリの説明として,適切なものはどれか。
ア | 1回だけ電気的に書込みができる。 |
---|---|
イ | 一定時間内に再書込み(リフレッシュ動作)を行う。 |
ウ | 書込み,消去とも電気的に行い,一括又はブロック単位で消去する。 |
エ | 書込みは電気的に行い,消去は紫外線によって行う。 |
答え : ウ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
平成22年1月修了試験 問24
フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
ア | ROMライタで書込みができ,書き込んだ内容を紫外線を用いて消去することが可能な不揮発性メモリである。 |
---|---|
イ | 記憶手段としてコンデンサを使用した,リフレッシュ動作を必要とする揮発性メモリである。 |
ウ | 消費電力が少なく,リフレッシュ動作が不要な揮発性メモリである。 |
エ | 全ビット,又はブロック単位で電気的に書込み内容を消去できる不揮発性メモリである。 |
答え : エ
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平成21年12月修了試験 問13
ア | 600×400 |
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イ | 800×600 |
ウ | 1,000×800 |
エ | 1,300×1,000 |
答え : イ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
平成21年12月修了試験 問24
DRAMの特徴はどれか。
ア | 記憶と消去を一括又はブロック単位で行うことができる。 |
---|---|
イ | 構造が単純なので,高集積化することができ,ビット単価を安くできる。 |
ウ | 電源が遮断された状態でも,記憶した情報を保持することができる。 |
エ | リフレッシュ動作が不要であり,高速にアクセスすることができる。 |
答え : イ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ