読み方 : エヌブイラム
NVRAM【Non-Volatile RAM】

二つの異なる意味で用いられる。一つは、半導体メモリ素子の分類を表す用語で、通電しなくても内容が失われない「不揮発性メモリ」(non-volatile memory)のうち、DRAMのように記録内容の読み書きを自由に行える半導体記憶素子を表す。フラッシュメモリやFeRAM(強誘電体メモリ)、MRAM(磁気抵抗メモリ)などが含まれる。
これらの記憶素子は原理上、書き換え回数に上限があり、とりわけフラッシュメモリ系は制約が大きい。このため、更新頻度の高いデータの保存には向かず、変化の少ないデータの記録に使われることが多い。書き込み速度は通常のDRAMやSRAMより遅いため、メインメモリの代替としては使われない。
もう一つは、コンピュータ内部などに設置される半導体メモリを利用した装置の一種で、一般的なSRAMやDRAMに電池(バックアップバッテリー)を組み合わせ、本体電源オフ時にも記憶素子の通電状態を維持することで内容が失われないようにしたものを指す。ハードウェアの設定情報などを記録しておくために利用されることが多い。システムの電源を切ってから再起動しても毎回同じ設定を入力してなくてよいのは、設定情報が内部のNVRAMに保持されているためである。
(2026.5.19更新)