相変化メモリ 【PCM】 Phase-Change RAM / PRAM

概要

相変化メモリ（PCM）とは、物質の結晶相とアモルファス相の電気抵抗値の違いを利用して信号の記録を行う半導体記憶装置。データの消去・書き込みを自由に行うことができ、電源を切っても内容が消えない不揮発メモリの一種である。

ある種のガラスなどは熱の加え方により結晶と非晶質（アモルファス）を高速に切り替えることができ、これを埋め込んだ記憶素子を半導体チップ内に大量に集積して記憶装置として利用する。

相変化メモリは不揮発メモリとして広く利用されているフラッシュメモリに比べ、書き込みが高速で書き換え寿命が長く、高密度化がしやすいという特徴がある。一方で、書き込み時の電力消費が大きいことや熱に弱いという難点があり、未だ広く実用化するには至っていない。

この記事の著者 ： (株)インセプト IT用語辞典 e-Words 編集部
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