読み方 : そうへんかメモリ
相変化メモリ【PCM】Phase-Change RAM/PRAM
概要

ある種のガラスなどは熱の加え方により結晶と非晶質(アモルファス)を高速に切り替えることができ、これを埋め込んだ記憶素子を半導体チップ内に大量に集積して記憶装置として利用する。
相変化メモリは不揮発メモリとして広く利用されているフラッシュメモリに比べ、書き込みが高速で書き換え寿命が長く、高密度化がしやすいという特徴がある。一方で、書き込み時の電力消費が大きいことや熱に弱いという難点があり、未だ広く実用化するには至っていない。
(2019.12.8更新)