QLC 【Quad-Level Cell】

概要

フラッシュメモリのメモリセルは蓄積された電荷の有無や量の違いにより記録された値を区別する。このうち、電荷がある状態とない状態をそれぞれ「1」と「0」に対応付けて1ビットのデータを格納できるものを「SLC」（Single Level Cell：シングルレベルセル）、電荷量に応じて3つ以上の状態を識別し、3値以上でデータを記録できるものを「MLC」（Multiple Level Cell：マルチレベルセル）という。

QLCはMLCのうち、16段階の電荷量を区別することにより一つのセルに「0000」から「1111」まで4ビットのデータを記録することができる。セルあたりのデータ量がSLCの4倍、2ビット記録MLCの2倍と記録密度が高いが、耐久性（セルあたりの書き換え上限回数）や読み書き速度ではこれらの方式より劣る。2018年に実用化された方式で、安価で大容量の普及型SSD製品などで用いられている。