基本情報技術者試験 - 令和5年1月修了 - 問21

フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。
ア高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリに用いられる。
イ紫外線で全データを一括消去できる。
ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
エブロック単位で電気的にデータが消去できる。
答え : エ
分野 : テクノロジ系 › コンピュータシステム › コンピュータ構成要素 › メモリ
解説 :
フラッシュメモリは,電源を切ってもデータが消えない不揮発性の半導体メモリであり,USBメモリやSSDなどに広く使われています。フラッシュメモリの特徴の一つは,データの消去をブロックと呼ばれる一定の単位でまとめて電気的に行う点にあります。選択肢「エ」はこの特徴を正しく説明しています。

「ア」は,高速に書き換えができCPUのキャッシュメモリに使われるという説明ですが,キャッシュメモリには一般的にSRAMが使われており,フラッシュメモリはSRAMに比べて書き込み速度が遅いため,この記述は誤りです。

「イ」は,紫外線で全データを一括消去できるという説明ですが,これはEPROMと呼ばれる別の種類のメモリの特徴であり,フラッシュメモリの説明としては不適切です。

「ウ」は,周期的にデータの再書き込みが必要という説明ですが,これはDRAMのリフレッシュ動作についての記述であり,フラッシュメモリの特徴ではありません。
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