NAND型フラッシュメモリ

NOR型に比べ回路が小規模で高集積化に向いており、同世代で比較すると大容量で安価な製品が供給される。また、書き込みや消去は高速だが、読み出しは低速でランダムアクセス（規則性なく様々な位置を読み書きする）が苦手という特徴がある。フラッシュメモリ市場の主流を占めており、メモリーカードやSSDなど多くの製品がNAND型フラッシュメモリを採用している。

NAND型フラッシュメモリの特徴として、記憶を保持するメモリセル（記憶素子）がNOR型より大きな単位で信号線を共有しており、数キロバイト分（製品や世代により異なる）の素子を束ねたページ単位で書き込みと読み出しを、数十ページをまとめたブロック（数百キロバイトに及ぶ）単位で消去を行う。

フラッシュメモリの原理上、すでにデータを記憶している素子を直に書き換え（上書き）することはできず、一旦消去してから書き込み直さなければならない。このため、書き込み動作は実際には、当該ビットを含むブロック全体の内容を一時的な記憶領域に読み出して消去し、新しい内容を反映させてブロック全体を書き戻すという動作になる。各セルは自分を含むブロックのいずれかのセルが書き換えられる度に消去と再書き込みが繰り返されるため、ブロックの小さいNOR型より書き換え寿命に到達しやすい。